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        電感耦合等離子體刻蝕ICP

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        設備名稱 電感耦合等離子體刻蝕ICP   品牌型號 oxford plasma 100  

        設備用途
        利用F基和Cl基氣體產生的plasma,對化合物材料和硅基進行刻蝕加工
         
        主要技術指標:
        可用氣體:Ar、N2、O2、SF6、H2、CH4、Cl2、BCl3
        可刻蝕材料:InP、GaAs、Si
        加工尺寸:≤8inch
        最大刻蝕速率:對InP>200nm/min,對GaAs>200nm/min,
        刻蝕均勻性:≤3%

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        青島翼晨鐳碩科技有限公司

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